在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。
电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近理论纯水水质18.3 MΩ.cm (25℃)。对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。如256兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤0.05μm,而且≥0.05μm不得超过500个/升超纯水。
指标 | 中华人民共和国电子级水国家标准（GB/T11446.1997） | ASTM电子级水 (E-I)标准 (1993年) | ||||
EW-I | EW-II | EW-III | EW-IV | 设计参考值 | ||
电阻率 MΩ.cm(25℃) | 18以上 (95%时间) 不低于17 | 15 (95%时间)不低于13 | 12.0 | 0.5 | 10以上 (95%时间) 不低于5 | 18以上(90%时间)不低于 17 |
全硅,最大μg/L | 2 | 10 | 50 | 1000 | ≤20.0 | 5(SIO2) |
>1μm微粒数, 最大值,个/mL | 0.1
| 5 | 10 | 500 | 10 | 0.1
|
细菌个数, 最大值个/ mL | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 | ≤<10 | 1/1000 |
铜最大值, μg/L | 0.2 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 1 |
锌最大值, μg/L | 0.2 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 0.5 |
镍最大值, μg/L | 0.1 | 1 | 2 | 500 | ≤2 | 0.1 |
钠最大值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 1000 | ≤5 | 0.5 |
钾最大值, μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 500 | ≤5 | 2 |
氯最大值, μg/L | 1 | 1 | 10 | 1000 | ≤10 | 1 |
硝酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
磷酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
硫酸根, 最大值, μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 | ≤5 | 1 |
总有机碳, 最大值, μg/L | 20 | 100 | 200 | 1000 | ≤200 | 1 |
细菌内毒素 (E.U.) | 0.03 | |||||
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